Полевая трубка из карбида кремния

Информация о продукте Карбид кремния считается полупроводниковым материалом третьего поколения после полупроводниковых материалов из кремния и арсенида галлия. Это сложный полупроводник. ●Преимущества карбида кремния: ＞＞＞Запрещенная полоса пропускания (3～3,3)ev ＞＞＞Высокое электр...

Отправить заявку

Описание

маркер

Информация о продукте

Карбид кремния считается полупроводниковым материалом третьего поколения после полупроводниковых материалов из кремния и арсенида галлия. Это сложный полупроводник. ●Преимущества карбида кремния: ＞＞＞Запрещенная полоса пропускания (3～3,3)ev ＞＞＞Высокое электрическое поле лавинного пробоя (2,5～5) МВ/см ＞＞＞Высокая теплопроводность (3～4,5)Вт/см Вт/см·К ＞＞＞Высокая рабочая температура (до 1000℃) ＞＞＞Высокая химическая стабильность ●Преимущества карбида кремния: ＞＞＞Корректор коэффициента мощности ＞＞＞Преобразователи постоянного/переменного тока для производства солнечной и ветровой энергии ＞＞＞Промышленное приводное устройство ＞＞＞Зарядные устройства для электромобилей и гибридных автомобилей ＞＞＞Выходной выпрямитель ＞＞＞Применение бытовой техники Наша компания может производить диоды Шоттки из карбида кремния в диапазоне 0,05–100 А; Кремниевый блок диодов Шоттки 18000 В. Благодаря превосходным характеристикам устройств из карбида кремния, таким как высокая частота, высокое напряжение, высокая температура перехода, высокая теплопроводность, высокая плотность тока и низкие потери, трансформаторы, индукторы фильтров, конденсаторы, радиаторы и линии передачи электронных устройств могут быть миниатюризированным. Таким образом, благодаря непрерывному развитию, продвижению и применению силовых электронных устройств из карбида кремния надежность и стабильность электронных устройств неизбежно будут повышены до нового этапа. ☆SIC MOSFET(TA=25℃)
модель	VDSS (V)	ID (A)	RdS(ON) (mΩ)	VGS(th) (V)		Tj/Tstg (℃)	Форма упаковки
MOS30-5	450	30	35	2	3.9	-55～175	TO-263-7
MOS68-6	600	68	35	2	4	-55～175	TO-247
MOS29-6.5	650	29	60	2	4	-55～175	TO-247-4L/TO-247-3L/TO-263-7H
MOS55-6.5	650	55	30	2	4	-55～175	TO-247-4L/TO-247-3L/TO-263-7H
MOS72-6.5	650	72	40	1.8	5	-55～175	TO-247-4L/TO-247-3L
MOS156-8	750	156	18	1.8	5	-55～175	TO-247-3/TO-263-7H
MOS17-8	800	17	80	2	4	-55～175	TO-263
MOS6.8-12	1200	6.8	750	2	5	-55～175	TO-247
MOS11-12	1200	11	160	2	4	-55～175	TO-247
модель	VDSS (V)	ID (A)	RdS(ON) (mΩ)	VGS(th) (V)		Tj/Tstg (℃)	Форма упаковки
MOS13-12	1200	13	160	2	4	-55～175	TO-247
MOS18-12	1200	19	160	2	4	-55～175	TO-247-4L/TO-247-3L/TO-263-7H
MOS20-12	1200	20	160	1.8	5	-55～175	TO-247-4L/TO-247-3L/TO-263-7
MOS30-12	1200	30	80	2	4	-55～175	TO-247
MOS40-12	1200	40	80	1.8	5	-55～175	TO-247-4L/TO-247-3L/TO-263-7
MOS60-12	1200	60	40	2	4	-55～175	TO-247
MOS80-12	1200	80	28	1.5	3	-55～175	TO-247-3L
MOS90-12	1200	90	25	2	4	-55～175	TO-247
MOS111-12	1200	111	17	1.8	5	-55～175	TO-247-4L/TO-247-3L
MOS400-12	1200	400	6.2	2	4	-55～175	108mm×62mm×38mm
MOS4-15	1500	4	80	2	4	-55～175	ТО-258 (металлический корпус)
MOS3-17	1700	3	1000	2	4	-55～175	TO-247
MOS5-17	1700	5	1000	2	4	-55～175	TO-247-4L/TO-247-3L
MOS72-17	1700	72	45	2	4	-55～175	TO-247-3L
★ Форма упаковки может быть настроена в соответствии с потребностями пользователя.